Imprimer la page
SCT30N120
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, HiP247
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
60 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 27,580 $ |
| 5+ | 27,580 $ |
| 10+ | 27,580 $ |
| 25+ | 22,610 $ |
| 50+ | 21,900 $ |
| 100+ | 21,470 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
27,58 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT30N120
Code Commande94X2608
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Power Dissipation Pd270W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation270W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
270W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
40A
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HiP247
Power Dissipation Pd
270W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
200°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit