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SCTH70N120G2V-7
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
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989 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 63,690 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
63,69 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTH70N120G2V-7
Code Commande40AJ8412
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.021ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.45V
Power Dissipation469W
Power Dissipation Pd469W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.45V
Power Dissipation Pd
469W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
469W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits