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SCTWA40N120G2V-4
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 45 A, 1.2 kV, 70 mohm, HiP247LL
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTWA40N120G2V-4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande36AJ4504
Gamme de produitTrenchFET Gen II
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 27,340 $ |
| 10+ | 25,970 $ |
| 25+ | 25,400 $ |
| 50+ | 23,520 $ |
| 100+ | 22,510 $ |
| 250+ | 20,520 $ |
| 500+ | 20,060 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
27,34 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTWA40N120G2V-4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande36AJ4504
Gamme de produitTrenchFET Gen II
Fiche technique
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance70mohm
On Resistance Rds(on)0.07ohm
Transistor Case StyleHiP247LL
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max200°C
Product RangeTrenchFET Gen II
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.07ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-
Power Dissipation
-
Product Range
TrenchFET Gen II
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Case Style
HiP247LL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits