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SCTWA70N120G2V-4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 63,620 $ |
| 5+ | 61,250 $ |
| 10+ | 58,870 $ |
| 25+ | 58,760 $ |
| 60+ | 56,350 $ |
| 120+ | 53,940 $ |
| 270+ | 51,500 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCTWA70N120G2V-4
Code Commande74AJ1813
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id91A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.021ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.45V
Power Dissipation Pd547W
Power Dissipation547W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.45V
Power Dissipation
547W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
91A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
547W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit