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STB11NK40ZT4
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 4.5 A, 0.49 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB11NK40ZT4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine33R1095RL
Bandes découpées33R1095
Votre numéro de pièce
1 940 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,070 $ | 5,07 $ |
| Total Prix | 5,07 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,070 $ |
| 50+ | 3,420 $ |
| 100+ | 2,470 $ |
| 250+ | 2,270 $ |
| 500+ | 2,060 $ |
| 1000+ | 2,020 $ |
| 2500+ | 1,970 $ |
| 5000+ | 1,930 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB11NK40ZT4Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine33R1095RL
Bandes découpées33R1095
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds400V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source On State Resistance0.49ohm
On Resistance Rds(on)0.49ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd110W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STB11NK40ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitances
- Very good manufacturing repeatability
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
0.49ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
400V
Drain Source On State Resistance
0.49ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
110W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit