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STB15N80K5
MOSFET, N-CH, 800V, 14A, 190W, TO-263
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB15N80K5
Code Commande07AH6945
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
1 151 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,210 $ |
| 10+ | 7,500 $ |
| 25+ | 7,010 $ |
| 50+ | 6,520 $ |
| 100+ | 6,040 $ |
| 250+ | 5,980 $ |
| 500+ | 5,910 $ |
| 1000+ | 5,380 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
9,21 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTB15N80K5
Code Commande07AH6945
Gamme de produitMDmesh K5
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id14A
On Resistance Rds(on)0.3ohm
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation190W
Power Dissipation Pd190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh K5
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
On Resistance Rds(on)
0.3ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh K5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits