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STD35P6LLF6
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD35P6LLF6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète51AM4752
Mise en bobine45AC7540
Bandes découpées45AC7540
Gamme de produitSTripFET F6
Votre numéro de pièce
4 513 En Stock
4 513 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,130 $ | 3,13 $ |
| Total Prix | 3,13 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,130 $ |
| 10+ | 2,100 $ |
| 25+ | 1,910 $ |
| 50+ | 1,710 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,010 $ |
| 5000+ | 0,913 $ |
| 10000+ | 0,822 $ |
| 15000+ | 0,792 $ |
| 25000+ | 0,775 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD35P6LLF6Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Bobine complète51AM4752
Mise en bobine45AC7540
Bandes découpées45AC7540
Gamme de produitSTripFET F6
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd70W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET F6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
70W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET F6
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STD35P6LLF6
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit