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STF11N65M5
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF11N65M5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande45AC7554
Gamme de produitMDmesh V
Votre numéro de pièce
234 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,370 $ |
| 10+ | 3,290 $ |
| 100+ | 2,200 $ |
| 500+ | 1,860 $ |
| 1000+ | 1,750 $ |
| 2500+ | 1,660 $ |
| 5000+ | 1,620 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,37 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF11N65M5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande45AC7554
Gamme de produitMDmesh V
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.43ohm
On Resistance Rds(on)0.43ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd25W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh V
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.43ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.43ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
25W
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STF11N65M5
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit