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STL3NM60N
MOSFET, N-CH, 600V, 2.2A, POWERFLAT-8
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL3NM60NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande98Y2481
Gamme de produitMdmesh II
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,830 $ |
| 10+ | 2,260 $ |
| 25+ | 1,940 $ |
| 50+ | 1,690 $ |
| 100+ | 1,410 $ |
| 250+ | 1,200 $ |
| 500+ | 0,918 $ |
| 1000+ | 0,857 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,83 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTL3NM60NCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande98Y2481
Gamme de produitMdmesh II
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Transistor Case StylePowerFLAT
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd22W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation22W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMdmesh II
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Case Style
PowerFLAT
Power Dissipation Pd
22W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
Mdmesh II
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
22W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit