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STP13NM60ND
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, 150DEG C, 109W
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP13NM60ND
Code Commande26AH0259
Gamme de produitFDmesh II
Fiche technique
53 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,770 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,77 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP13NM60ND
Code Commande26AH0259
Gamme de produitFDmesh II
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.32ohm
On Resistance Rds(on)0.32ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation109W
Power Dissipation Pd109W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFDmesh II
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
109W
No. of Pins
3Pins
Product Range
FDmesh II
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.32ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
109W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STP13NM60ND
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits