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STR2N2VH5
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.3 A, 30 mohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTR2N2VH5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6517
Mise en bobine07AH7113RL
Bandes découpées07AH7113
Gamme de produitSTripFET H5
Votre numéro de pièce
4 070 En Stock
4 070 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,460 $ | 1,46 $ |
| Total Prix | 1,46 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,460 $ |
| 50+ | 1,100 $ |
| 100+ | 0,772 $ |
| 250+ | 0,747 $ |
| 500+ | 0,618 $ |
| 1000+ | 0,523 $ |
| 2500+ | 0,425 $ |
| 5000+ | 0,358 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,452 $ |
| 9000+ | 0,406 $ |
| 15000+ | 0,388 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTR2N2VH5Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6517
Mise en bobine07AH7113RL
Bandes découpées07AH7113
Gamme de produitSTripFET H5
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation350mW
Power Dissipation Pd350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTripFET H5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET H5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
Power Dissipation Pd
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STR2N2VH5
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit