Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.

FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW10NK60ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande73J5896
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,700 $ |
| 10+ | 4,770 $ |
| 100+ | 4,050 $ |
| 500+ | 3,760 $ |
| 1000+ | 3,460 $ |
| 2500+ | 3,390 $ |
| 5000+ | 3,320 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,70 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW10NK60ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande73J5896
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.75ohm
On Resistance Rds(on)0.65ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd156W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation156W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STW10NK60Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in ON-resistance, this device is designed to ensure a high level of dV/dt capability for the most demanding applications.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
156W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.65ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
156W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
