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STW5NK100Z
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 3.5 A, 3.7 ohm, TO-247, Through Hole
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW5NK100ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande38K7936
Votre numéro de pièce
6 444 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,420 $ |
| 10+ | 6,690 $ |
| 100+ | 4,960 $ |
| 500+ | 4,200 $ |
| 1000+ | 3,640 $ |
| 2500+ | 3,280 $ |
| 5000+ | 3,210 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,42 $
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTW5NK100ZCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande38K7936
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id3.5A
On Resistance Rds(on)3.7ohm
Drain Source On State Resistance3.7ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The STW5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower ON-resistance, the device offers superior dV/dt capability to ensure optimal performance even in the most demanding applications. The SuperMESH™ device further complements an already broad range of innovative high voltage MOSFETs, which includes the revolutionary MDmesh™ products.
- Extremely high dV/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Very low intrinsic capacitance
- Very good manufacturing repeatability
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
On Resistance Rds(on)
3.7ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.5A
Drain Source On State Resistance
3.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit