Imprimer la page
QP50-6 TO (TO8S)
Photo Diode, 1100nm, 2nA, 10mA Peak DC Current, -40°C to 100°C, TO-8S-6
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 50 semaine(s)
Informations produit
FabricantTE CONNECTIVITY
Réf. FabricantQP50-6 TO (TO8S)
Code Commande16AM7581
Fiche technique
No. of Pins6Pins
Diode Case StyleTO-8S
Wavelength of Peak Sensitivity1100nm
Angle of Half Sensitivity ±-
Dark Current2nA
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max100°C
Product Range-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
No. of Pins
6Pins
Wavelength of Peak Sensitivity
1100nm
Dark Current
2nA
Operating Temperature Max
100°C
Automotive Qualification Standard
-
Diode Case Style
TO-8S
Angle of Half Sensitivity ±
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit