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MG400V2YMS3(DAE)
SIC MOSFET, DUAL N-CH, 1.7KV/400A/MODULE
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantMG400V2YMS3(DAE)Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant34 semaines
Code Commande11AN6077
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 34 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3 241,350 $ |
| 5+ | 3 176,530 $ |
| 10+ | 3 111,700 $ |
| 25+ | 3 046,880 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3 241,35 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantMG400V2YMS3(DAE)Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant34 semaines
Code Commande11AN6077
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id400A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation2kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
400A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
2kW
Product Range
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit