Imprimer la page
SSM3J328R,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J328R,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6417
Mise en bobine09AK7959RL
Bandes découpées09AK7959
Votre numéro de pièce
14 609 En Stock
14 609 disponibles sur {packagingType}
24 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,672 $ | 0,67 $ |
| Total Prix | 0,67 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,672 $ |
| 50+ | 0,515 $ |
| 100+ | 0,352 $ |
| 250+ | 0,291 $ |
| 500+ | 0,244 $ |
| 1000+ | 0,196 $ |
| 2500+ | 0,163 $ |
| 5000+ | 0,135 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,168 $ |
| 9000+ | 0,150 $ |
| 15000+ | 0,123 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J328R,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6417
Mise en bobine09AK7959RL
Bandes découpées09AK7959
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.0249ohm
Drain Source On State Resistance0.0298ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1W
Power Dissipation Pd1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0249ohm
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.0298ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit