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SSM3J35AMFV,L3F(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J35AMFV,L3F(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine01AM0607RL
Bandes découpées01AM0607
Votre numéro de pièce
2 955 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,283 $ | 0,28 $ |
| Total Prix | 0,28 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,283 $ |
| 50+ | 0,219 $ |
| 100+ | 0,133 $ |
| 250+ | 0,108 $ |
| 500+ | 0,091 $ |
| 1000+ | 0,074 $ |
| 2500+ | 0,058 $ |
| 5000+ | 0,054 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J35AMFV,L3F(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine01AM0607RL
Bandes découpées01AM0607
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleSOT-723
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
250mA
Transistor Case Style
SOT-723
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit