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SSM3J35CT,L3F(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 100 mA, 8 ohm, CST, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,337 $ |
| 10+ | 0,262 $ |
| 25+ | 0,159 $ |
| 50+ | 0,130 $ |
| 100+ | 0,109 $ |
| 250+ | 0,088 $ |
| 500+ | 0,069 $ |
| 1000+ | 0,066 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J35CT,L3F(T
Code Commande01AM0608
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance8ohm
Transistor Case StyleCST
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation100mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Transistor Case Style
CST
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
100mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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