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SSM3J378R,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6 A, 0.0298 ohm, SOT-23F, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J378R,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3028RL
Bandes découpées03AM3028
Gamme de produitU-MOSVI Series
Votre numéro de pièce
1 620 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,560 $ | 0,56 $ |
| Total Prix | 0,56 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,560 $ |
| 50+ | 0,430 $ |
| 100+ | 0,294 $ |
| 250+ | 0,244 $ |
| 500+ | 0,203 $ |
| 1000+ | 0,162 $ |
| 2500+ | 0,136 $ |
| 5000+ | 0,113 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J378R,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3028RL
Bandes découpées03AM3028
Gamme de produitU-MOSVI Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.0298ohm
Transistor Case StyleSOT-23F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVI Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23F
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0298ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSVI Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit