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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J66MFV,L3F(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3030RL
Bandes découpées03AM3030
Gamme de produitU-MOSVI Series
Votre numéro de pièce
7 905 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,436 $ | 2,18 $ |
| Total Prix | 2,18 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,436 $ |
| 50+ | 0,337 $ |
| 100+ | 0,231 $ |
| 250+ | 0,192 $ |
| 500+ | 0,162 $ |
| 1000+ | 0,129 $ |
| 2500+ | 0,109 $ |
| 5000+ | 0,091 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM3J66MFV,L3F(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine03AM3030RL
Bandes découpées03AM3030
Gamme de produitU-MOSVI Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id800mA
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleSOT-723
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVI Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
800mA
Transistor Case Style
SOT-723
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSVI Series
SVHC
To Be Advised
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
