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SSM6J501NU,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 10 A, 0.012 ohm, SOT-1220, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM6J501NU,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande09AK7986
Votre numéro de pièce
9 397 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,772 $ |
| 10+ | 0,593 $ |
| 25+ | 0,494 $ |
| 50+ | 0,415 $ |
| 100+ | 0,348 $ |
| 250+ | 0,295 $ |
| 500+ | 0,242 $ |
| 1000+ | 0,205 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,77 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantSSM6J501NU,LF(TCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande09AK7986
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor Case StyleSOT-1220
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Case Style
SOT-1220
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit