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TK3P80E,RQ(S
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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1 709 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,010 $ |
| 10+ | 1,770 $ |
| 25+ | 1,620 $ |
| 50+ | 1,490 $ |
| 100+ | 1,310 $ |
| 250+ | 1,190 $ |
| 500+ | 1,080 $ |
| 1000+ | 1,050 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,01 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK3P80E,RQ(S
Code Commande72AK4496
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance3.9ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
3.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits