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TK8P60W,RVQ(S
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 8 A, 0.42 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| 1+ | 0,667 $ |
| 10+ | 0,667 $ |
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| 1000+ | 0,667 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTK8P60W,RVQ(S
Code Commande33AK9375
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.42ohm
On Resistance Rds(on)0.42ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation80W
Power Dissipation Pd80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.42ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
80W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.42ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
Power Dissipation Pd
80W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit