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TPH1R712MD,L1Q(M
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 60 A, 0.0017 ohm, SOP, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,600 $ |
| 10+ | 2,300 $ |
| 25+ | 2,060 $ |
| 50+ | 1,850 $ |
| 100+ | 1,600 $ |
| 250+ | 1,380 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,60 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH1R712MD,L1Q(MCopie
Code Commande08AK7545
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance1700µohm
On Resistance Rds(on)0.00135ohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation78W
Power Dissipation Pd78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
78W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.00135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation Pd
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit