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2N6659-E3
Power MOSFET, N Channel, 35 V, 1.4 A, 1.3 ohm, TO-205AD, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 100+ | 44,360 $ |
| 250+ | 41,700 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 100
Multiple: 100
4 436,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. Fabricant2N6659-E3
Code Commande06J8888
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds35V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance1.3ohm
On Resistance Rds(on)1.3ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd6.25W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Transistor Case StyleTO-205AD
Power Dissipation6.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
35V
Drain Source On State Resistance
1.3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-205AD
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
On Resistance Rds(on)
1.3ohm
Power Dissipation Pd
6.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation
6.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit