Imprimer la page
IRF620PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF620PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande63J7330
Votre numéro de pièce
749 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,970 $ |
| 10+ | 1,550 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 500+ | 1,070 $ |
| 1000+ | 0,959 $ |
| 2500+ | 0,882 $ |
| 10000+ | 0,870 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,97 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF620PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande63J7330
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.2A
On Resistance Rds(on)0.8ohm
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd50W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleTO-220
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF620PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contribute to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management, Commercial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Power Dissipation Pd
50W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRF620PBF
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits