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MXP120A250FW-GE3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 10.5 A, 1.2 kV, 0.313 ohm, TO-247AD
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantMXP120A250FW-GE3Copie
Code Commande26AM1590
Gamme de produitMaxSiC Series
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantMXP120A250FW-GE3Copie
Code Commande26AM1590
Gamme de produitMaxSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id10.5A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.313ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation56W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMaxSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
10.5A
Drain Source On State Resistance
0.313ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
56W
Product Range
MaxSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit