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Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,060 $ |
25+ | 0,658 $ |
50+ | 0,543 $ |
100+ | 0,426 $ |
250+ | 0,376 $ |
500+ | 0,324 $ |
1000+ | 0,291 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1012R-T1-GE3
Code Commande69W7168
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id600mA
On Resistance Rds(on)0.41ohm
Drain Source On State Resistance0.7ohm
Transistor Case StyleSOT-416
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd150mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation150mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Aperçu du produit
The SI1012R-T1-GE3 is a 1.8VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- High-side switching
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 10ns Fast switching speed
- Halogen-free
- Ease in driving switches
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low battery voltage operation
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.41ohm
Transistor Case Style
SOT-416
Power Dissipation Pd
150mW
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
600mA
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
150mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits