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SI1424EDH-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4 A, 0.033 ohm, SOT-363, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1424EDH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète53T5223
Bandes découpées15AN1317
Gamme de produitTrenchFET Series
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,258 $ | 774,00 $ |
| Total Prix | 774,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,258 $ |
| 5000+ | 0,234 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,270 $ |
| 9000+ | 0,210 $ |
| 15000+ | 0,206 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1424EDH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète53T5223
Bandes découpées15AN1317
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit