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SI1427EDH-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.064 ohm, SOT-363, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1427EDH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète65T1683
Mise en bobine70AC6488RL
Bandes découpées70AC6488
Votre numéro de pièce
2 980 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,890 $ | 0,89 $ |
| Total Prix | 0,89 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,890 $ |
| 50+ | 0,552 $ |
| 100+ | 0,354 $ |
| 250+ | 0,311 $ |
| 500+ | 0,267 $ |
| 1000+ | 0,240 $ |
| 2500+ | 0,219 $ |
| 5000+ | 0,197 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,291 $ |
| 5000+ | 0,278 $ |
| 10000+ | 0,249 $ |
| 20000+ | 0,228 $ |
| 30000+ | 0,215 $ |
| 50000+ | 0,199 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1427EDH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète65T1683
Mise en bobine70AC6488RL
Bandes découpées70AC6488
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
On Resistance Rds(on)0.05ohm
Drain Source On State Resistance0.064ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.8W
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI1427EDH-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- 2000V ESD performance
- Built in ESD protection with Zener diode
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management, Portable Devices
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Drain Source On State Resistance
0.064ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI1427EDH-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit