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SI1469DH-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.6 A, 0.08 ohm, SOT-323, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1469DH-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande69W7178
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,620 $ |
| 25+ | 1,020 $ |
| 50+ | 0,871 $ |
| 100+ | 0,719 $ |
| 250+ | 0,650 $ |
| 500+ | 0,580 $ |
| 1000+ | 0,534 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1469DH-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande69W7178
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.6A
On Resistance Rds(on)0.065ohm
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.78W
Transistor Case StyleSOT-323
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation2.78W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI1469DH-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management, Portable Devices
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.78W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation
2.78W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit