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SI2301BDS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.2 A, 0.1 ohm, TO-236, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2301BDS-T1-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine06J7561
Bandes découpées06J7561
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| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,800 $ | 0,80 $ |
| Total Prix | 0,80 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,800 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2301BDS-T1-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine06J7561
Bandes découpées06J7561
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd900mW
Transistor Case StyleTO-236
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI2301BDS-T1-E3 is a 2.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
900mW
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TO-236
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit