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SI2301CDS-T1-E3.
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 0.11 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2301CDS-T1-E3.
Code Commande30AC0135
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit