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SI2301CDS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 33 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,330 $ |
| 5000+ | 0,324 $ |
| 10000+ | 0,305 $ |
| 20000+ | 0,289 $ |
| 30000+ | 0,275 $ |
| 50000+ | 0,267 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
990,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2301CDS-T1-E3
Code Commande33P5163
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.112ohm
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Si2301CDS-T1-E3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch.
- TrenchFET® Power MOSFET
- Drain-source breakdown voltage is -20V min (VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to 1V (VDS = VGS, ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is - 3.1A (TJ = 150 °C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -10A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -1.3A (TC = 25°C, TA = 25°C)
- Maximum power dissipation is 1.6W (TC = 25°C, TA = 25°C)
- VDS temperature coefficient is -18mV/°C typ (ID = - 250µA, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 9.5S typ (VDS = - 5V, ID = - 2.8A, TJ = 25°C)
- SOT-23 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2301CDS-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit