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SI2301CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,807 $ |
| 25+ | 0,515 $ |
| 50+ | 0,463 $ |
| 100+ | 0,410 $ |
| 250+ | 0,374 $ |
| 500+ | 0,337 $ |
| 1000+ | 0,295 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2301CDS-T1-GE3
Code Commande16P3701
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.112ohm
On Resistance Rds(on)0.142ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd860mW
Rds(on) Test Voltage2.5V
Transistor Case StyleTO-236
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation860mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI2301CDS-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The SI2301CDS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
On Resistance Rds(on)
0.142ohm
Power Dissipation Pd
860mW
Transistor Case Style
TO-236
Power Dissipation
860mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits