Imprimer la page
SI2302CDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302CDS-T1-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine69W7186
Bandes découpées69W7186
Votre numéro de pièce
7 411 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,020 $ | 1,02 $ |
| Total Prix | 1,02 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,020 $ |
| 25+ | 0,626 $ |
| 50+ | 0,515 $ |
| 100+ | 0,401 $ |
| 250+ | 0,352 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302CDS-T1-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine69W7186
Bandes découpées69W7186
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.6A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd710mW
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI2302CDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management, Portable Devices
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
710mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2302CDS-T1-E3
1 produit trouvé
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit