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SI2302CDS-T1-GE3.
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,337 $ |
| 9000+ | 0,294 $ |
| 15000+ | 0,288 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 011,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302CDS-T1-GE3.Copie
Code Commande28AC2121
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.9A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Power Dissipation Pd710mW
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Transistor Case StyleTO-236
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management, Portable Devices
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
710mW
Transistor Case Style
TO-236
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2302CDS-T1-GE3.
3 produit(s) trouvé(s)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit