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SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V RoHS Compliant: Yes
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14 708 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,626 $ |
| 25+ | 0,536 $ |
| 50+ | 0,433 $ |
| 100+ | 0,328 $ |
| 250+ | 0,320 $ |
| 500+ | 0,312 $ |
| 1000+ | 0,244 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
3,13 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302DDS-T1-GE3Copie
Code Commande40X8696
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.6A
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd710mW
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
710mW
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI2302DDS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits