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SI2302DDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302DDS-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine70AC6493
Bandes découpées70AC6493
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,530 $ | 0,53 $ |
| Total Prix | 0,53 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,530 $ |
| 25+ | 0,455 $ |
| 50+ | 0,367 $ |
| 100+ | 0,278 $ |
| 250+ | 0,271 $ |
| 500+ | 0,265 $ |
| 1000+ | 0,206 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302DDS-T1-GE3Copie
Code Commande
Mise en bobine70AC6493
Bandes découpées70AC6493
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd710mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Power Dissipation Pd
710mW
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2302DDS-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (19-Jan-2021)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit