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SI2312BDS-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 3.9 A, 0.031 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2312BDS-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète85W0175
Mise en bobine51K6950RL
Bandes découpées51K6950
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,907 $ | 0,91 $ |
| Total Prix | 0,91 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,907 $ |
| 50+ | 0,741 $ |
| 100+ | 0,654 $ |
| 250+ | 0,582 $ |
| 500+ | 0,500 $ |
| 1000+ | 0,438 $ |
| 2500+ | 0,347 $ |
| 5000+ | 0,333 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,347 $ |
| 9000+ | 0,339 $ |
| 15000+ | 0,314 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2312BDS-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète85W0175
Mise en bobine51K6950RL
Bandes découpées51K6950
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd750mW
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produits de remplacement pour SI2312BDS-T1-E3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The SI2312BDS-T1-E3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
750mW
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (3)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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