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SI2333CDS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 7.1 A, 0.0285 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,450 $ |
| 25+ | 0,450 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2333CDS-T1-E3
Code Commande88T7691
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id7.1A
On Resistance Rds(on)0.0285ohm
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.0285ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.1A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2333CDS-T1-E3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits