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SI2367DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.8 A, 66 mohm, TO-236, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 35 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,284 $ |
| 5000+ | 0,268 $ |
| 10000+ | 0,237 $ |
| 20000+ | 0,212 $ |
| 30000+ | 0,196 $ |
| 50000+ | 0,179 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
852,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2367DS-T1-GE3
Code Commande35R0031
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance66mohm
On Resistance Rds(on)0.066ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd960mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StyleTO-236
Power Dissipation960mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
66mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TO-236
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
On Resistance Rds(on)
0.066ohm
Power Dissipation Pd
960mW
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit