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SI2377EDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 20 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,287 $ |
| 5000+ | 0,271 $ |
| 10000+ | 0,237 $ |
| 20000+ | 0,211 $ |
| 30000+ | 0,194 $ |
| 50000+ | 0,176 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
861,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2377EDS-T1-GE3
Code Commande86R3873
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.061ohm
On Resistance Rds(on)0.05ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.8W
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.8W
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
On Resistance Rds(on)
0.05ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit