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SI2399DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2399DS-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète01AM0551
Mise en bobine64T4058RL
Bandes découpées64T4058
Votre numéro de pièce
5 169 En Stock
5 169 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,140 $ | 1,14 $ |
| Total Prix | 1,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,140 $ |
| 50+ | 0,706 $ |
| 100+ | 0,454 $ |
| 250+ | 0,400 $ |
| 500+ | 0,346 $ |
| 1000+ | 0,314 $ |
| 2500+ | 0,312 $ |
| 5000+ | 0,311 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,317 $ |
| 6000+ | 0,294 $ |
| 12000+ | 0,274 $ |
| 18000+ | 0,255 $ |
| 30000+ | 0,244 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2399DS-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète01AM0551
Mise en bobine64T4058RL
Bandes découpées64T4058
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.034ohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The SI2399DS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, PA switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI2399DS-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit