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SI3407DV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3407DV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Mise en bobine35R6207
Bandes découpées35R6207
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4 223 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,090 $ | 1,09 $ |
| Total Prix | 1,09 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,090 $ |
| 25+ | 0,677 $ |
| 50+ | 0,559 $ |
| 100+ | 0,438 $ |
| 250+ | 0,387 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3407DV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Mise en bobine35R6207
Bandes découpées35R6207
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation Pd
2W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit