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SI3433CDV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.2 A, 0.038 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3433CDV-T1-GE3
Code Commande84R8034
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 0,276 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
828,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3433CDV-T1-GE3
Code Commande84R8034
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.038ohm
On Resistance Rds(on)0.031ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.031ohm
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3433CDV-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit