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SI3443BDV-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3443BDV-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant8 semaines
Code Commande05W6938
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 8 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,190 $ |
| 6000+ | 0,997 $ |
| 9000+ | 0,895 $ |
| 15000+ | 0,811 $ |
| 30000+ | 0,713 $ |
| 75000+ | 0,641 $ |
| 150000+ | 0,533 $ |
| 300000+ | 0,518 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
3 570,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3443BDV-T1-E3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant8 semaines
Code Commande05W6938
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.1W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation1.1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Power Dissipation Pd
1.1W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
Power Dissipation
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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