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SI4056DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 11.1 A, 23 mohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4056DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète99W9613
Mise en bobine19X1959RL
Bandes découpées19X1959
Votre numéro de pièce
645 En Stock
645 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,990 $ | 1,99 $ |
| Total Prix | 1,99 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,990 $ |
| 50+ | 1,320 $ |
| 100+ | 0,947 $ |
| 250+ | 0,865 $ |
| 500+ | 0,782 $ |
| 1000+ | 0,740 $ |
| 2500+ | 0,707 $ |
| 5000+ | 0,686 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,580 $ |
| 5000+ | 0,567 $ |
| 10000+ | 0,524 $ |
| 20000+ | 0,488 $ |
| 30000+ | 0,455 $ |
| 50000+ | 0,435 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4056DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Bobine complète99W9613
Mise en bobine19X1959RL
Bandes découpées19X1959
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id11.1A
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance23mohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation5.7W
Power Dissipation Pd5.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
- N-channel 100 V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
- 100 % Rg and UIS Tested
- Used in DC/DC primary side switch, telecom/server, industrial, synchronous rectification
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11.1A
Drain Source On State Resistance
23mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
5.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4056DY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit