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SI4463CDY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 18.6 A, 0.008 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4463CDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6296
Mise en bobine64T4067RL
Bandes découpées64T4067
Votre numéro de pièce
48 En Stock
48 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,810 $ | 1,81 $ |
| Total Prix | 1,81 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,810 $ |
| 50+ | 0,854 $ |
| 100+ | 0,760 $ |
| 250+ | 0,678 $ |
| 500+ | 0,595 $ |
| 1000+ | 0,584 $ |
| 2500+ | 0,571 $ |
| 5000+ | 0,560 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,914 $ |
| 4000+ | 0,843 $ |
| 6000+ | 0,821 $ |
| 10000+ | 0,807 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4463CDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6296
Mise en bobine64T4067RL
Bandes découpées64T4067
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id18.6A
Drain Source On State Resistance8000µohm
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd5W
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The SI4463CDY-T1-GE3 is a 2.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch, high current load switch and notebook applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
18.6A
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
5W
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit