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SI4465ADY-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 13.7 A, 0.009 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 1,510 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
3 775,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4465ADY-T1-GE3
Code Commande26R1880
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id13.7A
Drain Source On State Resistance0.009ohm
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage1.8V
Power Dissipation Pd6.5W
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation6.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.009ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
1.8V
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.7A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
6.5W
Power Dissipation
6.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit